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产品概述：
PT -T1200-S6015LK1-4Z5S多路混气管式PECVD系统，由单温区管式炉、真空系统、质子流量计、射频电源系统系统组成。 混气管式PECVD系统是为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，环境温度在100-300℃，但反应气体在辉光放电等离子体中能受激分解、离解和离化，从而大大提高了反应物的活性，这些具有反应活性的中性物质很容易被吸附到较次温度的基本表面上，发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜，因此这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）。
适用范围：
设备可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。广泛应用于刀具、高精模具、硬质涂层、高端装饰等领域。
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